增强型和耗尽型MOSFET的主要区别

增强型和耗尽型MOSFET的主要区别 增强型默认关(需要加电压才导通) 耗尽型默认开(需要反向电压才关断)题目增强型和耗尽型MOSFET的主要区别是(A)A、增强型晶体管的沟道掺杂与源极和漏极的类型相反, 而耗尽型晶体的沟道掺杂与源极和漏极的类型相同.B、增强型晶体管和耗尽型晶体管都被看做常闭型.C、增强型晶体管的沟道掺杂与源极和漏极的类型相同而耗尽型晶体管的沟道掺杂与源极和漏极的类型相反.D、增强型晶体管开启不需要加栅压而耗尽型晶体管的开启需要加栅压。增强型 MOSFET(Enhancement) 特点初始没有导电沟道必须加栅压才能建立沟道 本质 电场增强出沟道耗尽型 MOSFET(Depletion) 特点初始就有导电沟道加反向电压把沟道耗尽掉 本质 电场把已有沟道掏空相关参考增强型MOSFET和耗尽型的区别_增强型mos和耗尽型mos管区别-CSDN博客