Toshiba开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品，助力提升下一代AI数据中心效率

Toshiba Electronic Devices Storage Corporation简称“Toshiba”今天宣布1200V沟槽栅SiC MOSFET产品“TW007D120E”的测试样品开始出货。该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统同时也适用于可再生能源相关设备。随着生成式人工智能AI的快速发展电能消耗不断上升已成为数据中心面临的紧迫课题。尤其是高功率AI服务器的广泛应用以及800V高压直流HVDC架构部署的增加推动了市场对更高功率转换效率和更高功率密度电源系统的需求。针对下一代人工智能数据中心的这些需求Toshiba开发了TW007D120E该产品将有助于降低功耗并实现电源系统的小型化和更高效率。TW007D120E采用Toshiba专有的沟槽栅结构[1]实现了业界领先[2]的单位面积低导通电阻RDS(on)A其通过更低的导通电阻降低导通损耗同时实现更低的开关损耗。与Toshiba现有产品相比TW007D120E将RDS(on)DS(on)A降低了约58%[3]品质因数导通电阻×栅漏电荷即RDS(on)×Qgd代表导通损耗和开关损耗之间的平衡提高了约52%[3]。这些特性将帮助数据中心电源系统实现高效运行并减少发热从而提升整体系统效率。这款新产品采用QDPAK封装支持顶部冷却。这有助于提高功率密度并增强功率级的散热性能这对下一代AI数据中心的功率转换至关重要。Toshiba计划在2026财年实现TW007D120E的量产并将继续拓展其产品阵容包括面向车载应用的产品开发。凭借这款沟槽栅SiC MOSFETToshiba将助力数据中心及各类工业设备提升能效、降低二氧化碳排放为低碳社会的实现做出贡献。TW007D120E基于JPNP21029项目取得的成果该项目由日本新能源产业技术综合开发机构NEDO资助。注[1]在半导体衬底中形成微细沟槽并将栅电极嵌入沟槽内部的器件结构。[2]截至2026年5月的Toshiba调研。[3]新开发的1200V SiC MOSFET与Toshiba第三代SiC MOSFETTW015Z120C的比较。截至2026年5月的Toshiba调研。应用数据中心电源AC-DC、DC-DC光伏逆变器不间断电源UPS电动汽车充电站储能系统工业电机特性低导通电阻和低DS(on)A低开关损耗和低DS(on)× Qgd较低的栅极驱动电压VGS_ON15V至18V高热性能QDPAK封装主要规格除非另有说明Tvj25°C器件型号TW007D120E封装名称QDPAK绝对最大额定值漏极-源极电压VDSSV1200漏极电流DCIDATc25°C172电气特性漏极-源极导通电阻RDS(on)mΩVGS15V典型值7.0栅极阈值电压VthVVDS10V3.0至5.0总栅极电荷QgnCVGS15V典型值317栅极-漏极电荷QgdnCVGS15V典型值33输入电容CisspFVDS800V典型值13972二极管正向电压VSDVVGS0V典型值3.2注开发中产品的规格和时间计划如有变更恕不另行通知。如需了解有关Toshiba SiC功率器件的更多信息请访问以下链接。SiC功率器件*本文提及的公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。*本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息为截至公告之日的最新信息但如有变更恕不另行通知。关于Toshiba Electronic Devices Storage CorporationToshiba Electronic Devices Storage Corporation是先进半导体和存储解决方案的领先供应商凭借半个多世纪的经验和创新为客户和业务合作伙伴提供卓越的分立半导体、系统LSI和HDD产品。公司在全球的17,400名员工致力于最大限度提高产品价值并促进与客户的密切合作共同创造价值和开拓新市场。公司期待为世界各地的人们建设更美好的未来并做出贡献。Toshiba 1200V沟槽栅SiC MOSFET产品TW007D120E。